株式会社セイワ　電子部品・半導体の総合商社　幅広いラインナップで、エレクトロニクス市場のニーズにお応えします。

ピックアップ

イメージ
2019/0514
メーカー ：トレックスセミコンダクター株式会社
製品名 ：XP236N2001/XP236N3001
分　類 ：MOS FET

XP236N2001TR(30V耐圧)とXP264N0301TR(60V耐圧)は、低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現した汎用NチャネルMOSFETです。リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております

イメージ
2019/01/30
メーカー ：トレックスセミコンダクター株式会社
製品名 ：XBP06V0U2MR
分　類 ：ダイオード

XBP06V0U2MRは、外部インターフェースに近接して実装され、静電放電から後段に配置されたICを保護します。 端子容量が0.8pFと小さいことから高速信号ラインへの対応を可能とし、USB2.0、HDMI等のライン保護に最適です。更に、小型SOT-23（2.9 X 2.8 X h1.3mm）パッケージに、TVSダイオード2素子を搭載し、機器の小型化に貢献します。

イメージ
2018/10/02
メーカー ：トレックスセミコンダクター株式会社
製品名 ：XBZ12A120CR-G
分　類 ：ダイオード

超小型パッケージツェナーダイオードの新シリーズとして、XBZ12A120CR-Gを開発しました。"
"各種電子回路の定電圧制御用として使用したり、静電放電から後段に配置されたICを守る保護素子として使用します。"
"パッケージは、小型USP-2B02（0.5 X 0.8 X h0.3mm）を採用し、機器の小型化に貢献します。

イメージ
2018/08/22
メーカー ：新日本無線株式会社
製品名 ：NJG1330シリーズ
分　類 ：通信用IC

スマートフォンなど通信機器の低消費電力化に貢献する送信用パワーアンプモジュール
第4世代の移動通信規格であるLTE-Advancedで利用されるUltra High Band対応のNJG1330シリーズの量産を開始しました。
【特長】
⒈ 電力付加効率特性がよい
⒉ 低電力送信モード
⒊ MIPI RFFEインターフェース仕様に準拠
⒋ 送信電力検出用カプラー内蔵（NJG1331のみ）

ページトップへ