株式会社セイワ　電子部品・半導体の総合商社　幅広いラインナップで、エレクトロニクス市場のニーズにお応えします。

低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現した汎用NチャネルMOSFETです。リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。"
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"パッケージは、小型SOT-323-3A (2.1 x 1.25 x h0.95mm)、SOT-23(TO-236)（2.4 x 2.9 x h1.15mm）を採用し、機器の小型化に貢献します。また、EU RoHS 指令、Pb フリー対応で環境に配慮した製品です。

NJU7870は、ハイブリッド自動車や電気自動車等で用いられるモータ軸や回転シャフトの角度検出センサであるレゾルバ励磁用途に最適です。"
"従来のレゾルバ励磁回路はディスクリート部品で構成し、回路設計の複雑化、実装基板やECUの大型化、信頼性の低下など問題がありました。そこで、当社は高耐圧40V、高出力電流200mAp-pに対応したレゾルバ励磁用アンプNJU77903を開発し、設計の容易化、実装基板やECUの小型軽量化、信頼性向上を実現しました。"
"今回、NJU77903の後継版として、低電圧駆動での差動電圧入力、差動電流出力タイプ、小型パッケージのNJU7870を開発し、励磁回路の更なる小型化と設計の簡略化を実現します。

低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現した汎用NチャネルMOSFETです。リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。"
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"パッケージは、小型SOT-523 (1.6 x 1.6 x h0.9mm)、SOT-723 （1.2 x 1.2 x h0.5mm）を採用し、機器の小型化に貢献します。また、EU RoHS 指令、Pb フリー対応で環境に配慮した製品です。

XP231P02017Rは低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現した汎用PチャネルMOSFETです。リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。"
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"パッケージは、小型SOT-723（1.2 x 1.2 x h0.5mm）を採用し、機器の小型化に貢献します。