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従来のスーパージャンクションMOSFET (以下、SJ-MOSFET)に用いられているスーパージャンクション技術を応用することで、世界で初めてSJ-BJTを作製し、高耐圧を保持しつつ、低オン抵抗と電流増幅率向上を実現しました。"
"スーパージャンクション技術は本図に示されるようにn型半導体領域とp型半導体領域を交互に周期的に配置した構造であり、パワー半導体の高い耐圧と低いオン抵抗を両立することが可能な構造です。本技術はこれまで主としてSJ-MOSFETに用いられており、それによりSJ-MOSFETのオン抵抗の低減が実現されました。今回、この技術をシリコンバイポーラトランジスタに適用し、スーパージャンクション構造とホール※5の注入効果を組み合わせることで、高耐圧であると同時に、低オン抵抗、高電流増幅率動作を実現しました。

Dynamic Transient Stabilizer TM が可能とした理想の入力フルスイングコンパレータ

従来の一般的な入力フルスイングコンパレータは、入力信号のレベルが変わると、重要特性の一つである、伝搬遅延時間が44%も変動する事もあり、所望のスピードで信号処理が行えない可能性があります。
製品開発では、この伝搬遅延の変動分も設計マージンとして考慮しなければならず、設計の手間が増えてしまいますが、回路技術 Dynamic Transient Stabilizer TM を使うことで、全ての入力レンジの信号で安定したレスポンスを得られます。
新日本無線は従来の入力フルスイングコンパレータを用いたアプリケーションで必要だった各リファレンス電圧での伝搬遅延時間の評価工数や、設計工数の削減に貢献します。

XP22シリーズは20V耐圧、低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現した汎用NチャネルMOSFETです。リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。"
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"パッケージは、小型SOT-523 (1.6 x 1.6 x h0.9mm)、SOT-723（1.2 x 1.2 x h0.5mm）を採用し、機器の小型化に貢献します。また、EU RoHS 指令、Pb フリー対応で環境に配慮した製品です。

低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現した汎用NチャネルMOSFETです。リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。"
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"パッケージは、小型SOT-323-3A (2.1 x 1.25 x h0.95mm)、SOT-23(TO-236)（2.4 x 2.9 x h1.15mm）を採用し、機器の小型化に貢献します。また、EU RoHS 指令、Pb フリー対応で環境に配慮した製品です。