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超低消費電流、高精度、高リップル除去を実現したCMOSプロセスの高速LDOレギュレータICです。 "
"出力電圧は内部で固定されており、1.2V～5.0V(0.05V step)の範囲で設定可能です。高速動作と低消費電流を両立したGreen Operation(GO)機能を搭載しており、出力電流に応じてハイスピード(HS)モードとパワーセーブ(PS)モードに自動的に切り替えます。"
"軽負荷時は低消費電流のPSモードで動作することで軽負荷での高効率を実現し、重負荷時は高速動作が可能なHSモードで動作することで高速動作を可能とします。これにより低消費電流かつ高速動作が必要なアプリケーションに最適です。

過渡電圧サプレッサ(TVS)の新シリーズとして、XBP141Pを開発しました。過渡電圧サプレッサ(TVS)シリーズ、XBP141Pは、外部インターフェースに近接して実装され、静電放電から後段に配置されたICを保護します。XBP141Pは端子容量が小さく高速信号ラインに対応し、USB3.0等のライン保護に最適です。更に、DFN2510-10A（2.5 x 1.0 x h0.55mm）パッケージに、TVSダイオード4素子を搭載し、4ラインの保護が可能です。

MOSFETの新シリーズとして、XP23シリーズ(30V耐圧) 4製品、XP26シリーズ(60V耐圧) 3製品を開発しました。"
"低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現した汎用NチャネルMOSFETです。リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。パッケージは、小型SOT-23(TO-236)（2.9 X 2.4 X h1.15mm）を採用し、機器の小型化に貢献します。

XP236N2001TR(30V耐圧)とXP264N0301TR(60V耐圧)は、低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現した汎用NチャネルMOSFETです。リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております