取り扱いメーカー

2020/8/28

新日本無線株式会社
http://www.njr.co.jp/
製品名: シリコンSJ-BJTパワーデバイス(開発中)
分 類: MOS FET

高耐圧を保持しつつ、低オン抵抗と電流増幅率向上を実現しました。"
"今回開発したSJ-BJTの断面構造を図2に示します。スーパージャンクション技術は本図に示されるようにn型半導体領域とp型半導体領域を交互に周期的に配置した構造であり、パワー半導体の高い耐圧と低いオン抵抗を両立することが可能な構造です。本技術はこれまで主としてSJ-MOSFETに用いられており、それによりSJ-MOSFETのオン抵抗の低減が実現されました。今回、この技術をシリコンバイポーラトランジスタに適用し、スーパージャンクション構造とホールの注入効果を組み合わせることで、高耐圧であると同時に、低オン抵抗、高電流増幅率動作を実現しました。

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